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J-GLOBAL ID：200903047599955552

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法

Inventor： 山田 元量 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993124890
Publication number (International publication number)：1994314822
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 最上層であるp層に形成する電極を透光性にして、発光素子の外部量子効率を向上させると共に、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面として、上から電極を取り出すことにより、発光素子の生産性を向上させる。【構成】 p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体表面に、オーミック接触用の電極として、金属よりなる透光性電極が形成されている。

Claim (excerpt)：

p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体表面に、オーミック接触用の電極として、金属よりなる透光性電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/324