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J-GLOBAL ID：200903047605621300

In2O3-SnO2系薄膜の製造方法

Inventor： 福井 俊巳 ,  朝隈 直子
Applicant, Patent owner： 株式会社関西新技術研究所
Agent (1)： 間宮 武雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997153020
Publication number (International publication number)：1998324820
Application date： May. 26, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低抵抗値の優れた特性を有するIn2O3-SnO2系薄膜を製造できる方法を提供する。【解決手段】 インジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させてゾルを調製する際に、4価の錫アルコキシドではなく2価の錫アルコキシドを用いる。得られたゾルを基体の表面に塗布してゲル膜を形成した後、ゲル膜を結晶化させて、In2O3-SnO2系薄膜に導電性を発現させる。

Claim (excerpt)：

インジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させ、これによって得られたゾルを基体の表面に塗布して、基体表面にゲル膜を形成した後、そのゲル膜を結晶化させて、導電性を有するIn2O3-SnO2系薄膜を基体表面に形成するIn2O3-SnO2系薄膜の製造方法において、前記錫アルコキシドとして2価の錫アルコキシドを用いることを特徴とするIn2O3-SnO2系薄膜の製造方法。

IPC (9)：

C09D 1/00 ,  C03C 17/25 ,  C09D 5/00 ,  C09D 5/24 ,  C23C 18/12 ,  C30B 29/22 ,  G09F 9/30 335 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (9)：

C09D 1/00 ,  C03C 17/25 A ,  C09D 5/00 C ,  C09D 5/24 ,  C23C 18/12 ,  C30B 29/22 Z ,  G09F 9/30 335 ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B