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J-GLOBAL ID：200903047607409066

電界電子放出素子及びその製造方法

Inventor：
朴男信

About 朴男信

, 
崔善静

About 崔善静


Applicant, Patent owner：
三星電管株式會社

About 三星電管株式會社


Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994052617
Publication number (International publication number)：1995249370
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 発光輝度の均一性と所定部位における過度な電流集中状態を発生させずに、長時間安定された電子流放出が遂行できる電界放出型陰極及びその製造方法を提供する。【構成】 キャビティ開口部を順次狭めていくことにより、キャビティ内の電界放出陰極を円錐形に形成し、かつ、その下部が截錐形抵抗体層で形成し、その上部が、前記先頂部上に形成された円錐形の電界放射カソードチップで形成された電界電子放出素子の製造方法及び前記構成を有する電界電子放出素子。
Claim (excerpt)：
(a)下部基板上部(10)に列の方向によって少なくとも一つの陰電極(12)を形成し、前記陰電極(12)上に絶縁層(14)を形成し、及び前記絶縁層(14)上の行の方向に少なくとも一つのゲート電極(18)を順番に形成した後、前記ゲート電極(18)と絶縁層(14)の所定部位をフォトエッチングして少なくとも一つのキャビティ(15)を形成する第1工程と、(b)基板(10)の水平面に対して15 ゚前後で金属を傾斜析着して、前記キャビティ(15)の開口径を狭めるように前記ゲート電極(18)上に分割層(22)を形成する第2工程と、(c)垂直入射析着方法で、前記第2工程を通して開口径が小さくなったキャビティ(15)内の陰電極(12)上に、平面状の先頂部を有する截錐形抵抗体層(24)を形成すると共に、前記キャビティ(15)の開口径を狭めるように前記分割層(22)上に抵抗体層(24’)を形成する第3工程と、(d)垂直入射析着方法で、前記第3工程を通して形成された前記截錐形抵抗体層(24)の平面状な先頂部に、超微細直径を有する円錐形電界放射カソードチップ(26)を形成すると共に、前記キャビティ(15)の開口径を狭めるように前記分割層(22)上の抵抗体層(24’)上に前記チップ成分からなる層(26’)を形成する第4工程、及び、(e)前記分割層(22)、第2工程で前記分割層(22)上に形成された抵抗体層(24’)及び第3工程で前記抵抗体層(24)上に形成された前記チップ成分からなる層(26’)を除去させる第5工程とからなることを特徴とする電界電子放出素子の製造方法。
IPC (2)：
H01J 9/02 ,  H01J 1/30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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