Pat

J-GLOBAL ID：200903047618254730

メタライズ基板モジュール

Inventor： 佐藤 英樹 ,  水野谷 信幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992342557
Publication number (International publication number)：1994196584
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、クラックや反りの発生が少なく、耐久性および信頼性が高く、かつ製造が容易なメタライズ基板モジュールを提供することにある。【構成】本発明に係るメタライズ基板モジュールは、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板2の両面の所定位置にそれぞれメタライズ層3a,3bを一体に形成し、一方のメタライズ層3a表面に半導体素子4を接合するとともに、上記セラミックス基板2および半導体素子4を収容する収納容器6に熱伝導性接着剤8を介して他方のメタライズ層3bを一体に接合固定したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板の両面の所定位置にそれぞれメタライズ層を一体に形成し、一方のメタライズ層表面に半導体素子を接合するとともに、上記セラミックス基板および半導体素子を収容する収納容器に熱伝導性接着剤を介して他方のメタライズ層を一体に接合固定したことを特徴とするメタライズ基板モジュール。

IPC (2)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/373

FI (3)：

H01L 23/12 F ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 M