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J-GLOBAL ID：200903047621592361

磁気抵抗効果型ヘツド

Inventor： 田辺 英男 ,  北田 正弘 ,  清水 昇 ,  小山 直樹 ,  由比藤 勇
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255010
Publication number (International publication number)：1993101342
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【構成】磁気抵抗効果型ヘッド17は、再生ヘッド部13で、二つの導体層を磁気抵抗効果膜6の上下両面に設け、さらに二つの磁区安定化用バイアス膜7を磁気抵抗効果膜6の上下両面に磁気抵抗効果膜6の感磁部を除く任意の個所に設けて、放熱効果を増し磁気抵抗効果膜6の磁化容易軸方向の磁区安定化バイアス磁界強度を増し、再生ヘッド部13の上あるいは下に電磁誘導型の記録ヘッド部16を構築した。【効果】通電による磁気抵抗効果膜の温度上昇を非常に低く抑えるため高電流化によるヘッドの高出力化が可能になり、エレクトロマイグレーションの抑制によりヘッドの通電寿命を増すことができる。

Claim (excerpt)：

磁気記録媒体からの信号磁束をその抵抗変化を利用して検出する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を加えるためのバイアス磁界印加手段と、前記磁気抵抗効果膜に検出電流を流すための導体層と、これらを挟むように絶縁層を介して設けられた磁気シールド層とからなり、前記導体層が前記磁気抵抗効果膜の両面に設けられてなることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。