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J-GLOBAL ID:200903047623866230

レーザ加工方法、レーザ加工装置および半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001326865
Publication number (International publication number):2002224878
Application date: Oct. 24, 2001
Publication date: Aug. 13, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 加工対象物の加工面でのレーザ光照射による損傷を低減し、加工面へのダストの付着を効果的に防止することのできるレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 レーザ加工方法は、レーザ光を透過させる液体8を加工対象物10の加工面10Aに供給し、この液体8を介してレーザ光24を加工面上10Aに照射し、加工面10Aに超音波振動を与えながらレーザ加工を行う。
Claim (excerpt):
レーザ光を透過させる液体を、加工対象物の加工面に供給し、前記液体を介してレーザ光を前記加工面に照射し、前記加工面に超音波振動を与えながらレーザ加工を行うレーザ加工方法。
IPC (6):
B23K 26/12 ,  B23K 26/14 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/12 501 ,  H05K 3/00 ,  B23K101:40
FI (6):
B23K 26/12 ,  B23K 26/14 Z ,  H01L 23/12 501 P ,  H05K 3/00 N ,  B23K101:40 ,  H01L 21/78 C
F-Term (2):
4E068CJ07 ,  4E068DA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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