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J-GLOBAL ID：200903047625394165

ドライエッチング方法

Inventor： 大内 雅彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998130871
Publication number (International publication number)：1999329793
Application date： May. 13, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 金属膜のドライエッチングにおいて、高アスペクト比のパターンでもサイドエッチングせず、また、フォトレジストのエッチング量を最小限に抑えることが可能なドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 プラズマ生成とイオン引き込みが独立に制御可能なエッチング装置により、エッチング時間tに対してイオン引き込み用高周波電源8のバイアスパワー又は周波数を経時的に直線的又は曲線的に上昇させることにより、エッチング深さに対してエッチングイオンの数を変化させずに、ウエハ10のドライエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

プラズマ生成とイオン引き込みが独立に制御可能なエッチング装置によりウエハをドライエッチングする方法において、イオンを引き込むイオン引き込み用高周波電源の周波数を一定にし、その電圧を経時的に上昇させることにより、イオンエネルギーを連続的に上昇させつつウエハをエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H05H 1/46 L ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 C