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J-GLOBAL ID：200903047625717525

集積回路装置

Inventor： 臼井 信一
Applicant, Patent owner： 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
Agent (1)： 松田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993043747
Publication number (International publication number)：1994260596
Application date： Mar. 04, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電磁場の影響を低減可能な集積回路装置を提供することにある。【構成】 薄膜抵抗4aの下部および上部の全面をMo層2および配線層7cにて覆い、薄膜抵抗4aを電磁遮蔽し、電磁場の影響を低減するものである。

Claim (excerpt)：

薄膜抵抗の下部および上部に電磁遮蔽用の導電層を設けたことを特徴とする集積回路装置。