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J-GLOBAL ID：200903047631467875

六方晶窒化ガリウム系半導体層の劈開方法

Inventor： 横井 勝之
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 伊沢 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995287875
Publication number (International publication number)：1997106965
Application date： Oct. 09, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長させたGaN系半導体層を劈開する。【解決手段】 サファイア基板10の表面にGaN系半導体層20をヘテロエピタキシャル成長させた後、半導体層20側に粘着テープ30を貼付する。基板10にダイシング等により劈開面に平行な溝10xを形成した後、基板10をゴムパッド36に載置した状態でローラー38で加圧するなどして半導体層20を溝10xに沿って劈開する。加圧手段としては、球型金型等を用いてもよい。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長させた六方晶窒化ガリウム系半導体層を劈開するための劈開方法であって、前記半導体層の劈開面に平行に前記サファイア基板に溝を形成する工程と、前記半導体層に外力を加えることにより前記溝に沿って前記半導体層を劈開する工程とを含む劈開方法。

IPC (4)：

H01L 21/301 ,  B28D 5/00 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/78 U ,  B28D 5/00 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18