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J-GLOBAL ID：200903047632526000
気相成長法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993191673
Publication number (International publication number)：1995022344
Application date： Jul. 06, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：
【要約】【目的】 炭素濃度が均一なIII-V族化合物半導体が、再現性良く形成できるようにすることを目的とする。【構成】 成長温度を反応律速温度領域である450°Cとし、供給するGaのソースガスのモル分率に対するAsのソースガスのモル分率の比であるV/III比が1以下の領域で成長を行うと、炭素濃度があまり変化せず、不純物(キャリア)である炭素混入量が均一なGaAs層が形成できる。
Claim (excerpt)：
III-V族化合物の結晶を有機金属気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長法であって、結晶成長を行う反応室内に供給するIII 族原料ガスのモル分率に対するV族原料ガスのモル分率の比が1以下であり、結晶成長を行う温度が反応律速温度領域であることを特徴とする気相成長法。
IPC (2)：
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