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J-GLOBAL ID：200903047638072078
半導体記憶素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991279632
Publication number (International publication number)：1993120866
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】 強誘電体膜をゲート絶縁膜として使用した強誘電体トランジスタを使用して、高速動作で、非破壊読み出しができ、書き換え回数も1010オーダ可能なメモリアレイを構成する半導体記憶素子を提供する。【構成】 強誘電体トランジスタFTとスイッチングトランジスタSTのソース電極とドレイン電極とを接続してメモリセルを形成し、マトリックス状にメモリセルを配列することにより構成する。
Claim (excerpt)：
金属-強誘電体-半導体構造トランジスタである強誘電体トランジスタと、スイッチングトランジスタとからなり、該二つのトランジスタのソース電極とドレイン電極とが接続されてなるメモリセルがマトリックス状に配列されたメモリアレイを有することを特徴とする半導体記憶素子。
Patent cited by the Patent：
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