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J-GLOBAL ID：200903047645172940

散乱角制限投射電子ビームリソグラフィマスクを使用して半導体デバイスを形成する方法およびそのマスク

Inventor： マシュー・アレン・トンプソン ,  ポーウィッター・ジット・シング・マンガット
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998284793
Publication number (International publication number)：1999195603
Application date： Sep. 21, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 技術的マスクに関して実質的に同一の厚さか、またはさらに薄くした薄膜部分を有し、改善された特性を有するマスクを利用する、改善されたSCALPEL技術を提供する。【解決手段】 散乱角制限投射電子ビームリソグラフィのマスク(300)が、基板(102)を有し、その基板内に広がる開口(103)を有する。その基板上に薄膜層(204)が在る。その薄膜層は、その基板の開口上に在るウィンドウ部分(209)を含み、第1散乱能を有する材料から形成される。その薄膜層上に在るパターニングされた散乱層は少なくともその薄膜層のウィンドウ部分に沿在し、そのパターニングされた散乱層は第1散乱能よりも大きい第2散乱能を有する材料から形成さる。パターニングされた散乱層上に在る封止層(210)は第2散乱能よりも小さい第3散乱能を有する。

Claim (excerpt)：

散乱角制限投射電子ビームリソグラフィ用のマスクであって:第1表面および該第1表面に対蹠する第2表面を有する基板(202);前記第2表面を通して前記基板内に広がる開口(203);前記第1表面上に広がる薄膜層(204)であって、前記基板内の開口上にあるウィンドウ部分(209)を含み、第1電子散乱能を有する材料から構成される、ところの薄膜層;前記薄膜層上に在り、少なくとも前記薄膜層の前記ウィンドウ部分に沿在するパターニングされた散乱層(208)であって、前記第1電子散乱能よりも大きい第2電子散乱能を有する材料から成る、ところのパターニングされた散乱層;および前記パターニングされた散乱層上に在る封止層(210)であって、前記第2電子散乱能よりも小さい第3電子散乱能を有する、ところの封止層;から構成されることを特徴とする散乱角制限投射電子ビームリソグラフィ用のマスク。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504

FI (3)：

H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 504