Pat
J-GLOBAL ID:200903047645325810

ウェ-ハ・ボンディングおよびシ-リング・システムおよび方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上野 英夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999213164
Publication number (International publication number):2000101019
Application date: Jul. 28, 1999
Publication date: Apr. 07, 2000
Summary:
【要約】【課題】マイクロ加工及び集積回路において、デバイス内に真空内部空間または真空排気空洞を形成することが好ましい場合がある。マイクロ機械加工デバイス内において真空を形成し、シーリングを施すのが困難であるため、真空内部空間の形成及びシーリングを行うマイクロ加工技術は、極めてコストが高く、所望のレベルの真空を形成し維持するのに十分ではなかった。【解決手段】真空にされた加工装置内で、ボンディング材及びシーリング材を備える上下2つのウェーハを重ね合わせて係合させた後、加工装置内の温度を上げてアニーリングを行い、ボンディング材及びシーリング材とウエーハ間で共晶を形成し密封する。これによってデバイス内に真空状態を形成し維持する。
Claim (excerpt):
マイクロ加工システムであって、(a)表面にパラジウムを含む接点が配置された第1のウェーハと、(b)前記第1のウェーハとの間にボンディングを形成するため、前記接点前記パラジウムに接合するシリコンを有する第2のウエーハと、(c)前記第1と第2のウェーハ結合されたガスケットと、を含み、前記ガスケットは、前記ウェーハの一方に融着していることを特徴とするシステム。
IPC (5):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/52
FI (3):
H01L 25/08 Z ,  H01L 23/02 B ,  H01L 23/52 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭61-089657
  • 特開昭63-283149
  • 特開昭56-083054
Show all

Return to Previous Page