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J-GLOBAL ID：200903047660123646

半導体受光素子

Inventor： 宮内 伸幸 ,  森本 泰司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992145920
Publication number (International publication number)：1993342617
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ型光ピックアップひいては光ディスクシステムの小型化を図ることのできる半導体受光素子を提供する。【構成】 ホログラムレーザ9から出射したレーザ光1は、回折格子2を通過して0次光4と1次光5に分けられ、半導体受光素子11に入射する。受光素子11は、光軸10に対して45°の角度で配置されている。受光素子11の入射面には、0次光4の入射領域に高反射膜12が形成されており、1次光5の入射領域に低反射膜あるいは透過膜13が形成されている。高反射膜12に入射した0次光4は、光軸の向きが変換された後、光ディスク8に入射する。低反射膜あるいは透過膜13に入射した1次光5は、受光素子11の内部で光電変換される。

Claim (excerpt)：

半導体レーザから出射されるレーザ光の中心光軸に対して所定角度で配置され、該レーザ光の入射を受ける半導体受光素子において、その受光素子の入射面は、中心光軸を含む中心領域が反射率のより高い高反射領域とされ、その高反射領域の外側の領域が反射率のより低い低反射領域とされており、高反射領域に入射したレーザ光は所定角度でその光軸の向きが変換されて情報処理用光源として用いられ、低反射領域に入射したレーザ光は入射面の内部で光電変換されて光出力の検出に用いられることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (3)：

G11B 7/13 ,  G11B 7/135 ,  H01L 31/02