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J-GLOBAL ID：200903047668310062

変換器

Inventor： ボグダン・エム・シミオン ,  インジャン・チェン ,  マーク・エス・ミラー
Applicant, Patent owner： リード-ライト コーポレーション
Agent (1)： 梅田 明彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000200356
Publication number (International publication number)：2002026420
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】【解決手段】 磁気抵抗(MR)センサのためのバイアス層は、MR層に縦方向バイアスを与えるための面内磁化容易軸を有する。バイアス層はコバルト(Co)を含み、そのCoのC軸の平面内整合を促進する結晶構造を有する様々な下地層上に形成される。好ましい下側層としては、ニッケル-アルミニウム(NiAl)及び酸化マグネシウム(MgO)が挙げられ、クロム(Cr)を含む中間層をバイアス層と下地層との間に挟装してもよい。

Claim (excerpt)：

磁界を感知するための変換器であって、第1の端部及び第2の端部を両端とする、実質的に平行な複数の隣接する層を有する磁気抵抗デバイスと、前記端部の少なくとも一方に隣接する結晶性材料を含み、かつその表面がコバルトのC軸の格子定数の実質的に一致する格子定数を有するシード層と、前記シード層の上に配置されて前記端部に接し、前記界面と実質的に平行な磁化容易軸を有する、コバルトを含む磁性層とを備えることを特徴とする変換器。

IPC (6)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/30

FI (7)：

H01L 43/08 B ,  H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/30

F-Term (17)：

5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5D034BA21 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049CB06 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5E049DB20