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J-GLOBAL ID：200903047669717719

半導体ベースの画像センサ

Inventor： スヒ オラフ ,  ラオテル ヨゼフ ,  グナデ ミハエル ,  ヴァイレル ディルク ,  ケムナ アルミン ,  フォクトマイエル ヘレオン ,  ステアドマン ロゲル
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ,  フラオンホフェル ゲゼルシャフト ツル フォルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング イー ヴィ
Agent (3)： 津軽 進 ,  宮崎 昭彦 ,  笛田 秀仙
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006548535
Publication number (International publication number)：2007521863
Application date： Jan. 07, 2005
Publication date： Aug. 09, 2007
Summary：

複数の検出器要素又は画像ピクセルを備える検出器装置及び/又は半導体ベースの画像センサが開示され、これら各々は、一体化したSD(シグマデルタ)モジュレータ(20-29)又は一体化したSD-A/D(シグマ デルタ アナログ/デジタル)変換器(20から30)、及び特にCMOS半導体に基づく検出器要素及び/又は上記画像センサを有する。特に、前記SDモジュレータ及び前記SD-A/D変換器の差動式型及び/又はマルチフェーズ構造に基づいて、特に高いノイズロバスト性、高いダイナミックレンジ及びより小さなノイズを備える検出器装置及び又は画像センサが製造されることが可能であるため、これは特にCT装置における利用に適している。

Claim (excerpt)：

一体化したSDモジュレータを各々有する、複数の検出器要素又は画像ピクセルを備える検出器装置において、前記SDモジュレータは、差動式の構成及び/又は複数の段を有する検出器装置。

IPC (2)：

A61B 6/03 ,  G01T 1/24

FI (2)：

A61B6/03 320R ,  G01T1/24

F-Term (13)：

2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088GG21 ,  2G088KK06 ,  2G088LL11 ,  2G088LL18 ,  4C093AA22 ,  4C093CA06 ,  4C093EB12 ,  4C093FD01 ,  4C093FD05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-229722
  
• 特開平4-229722
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• CMOS X-ray Image Sensor with Pixel Level A/D Conversion
• CMOS X-ray Image Sensor with Pixel Level A/D Conversion