Pat
J-GLOBAL ID：200903047675370518
受光素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996109765
Publication number (International publication number)：1997298308
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 半導体表面で再結合して消滅する光キャリアを減少させ、侵入長の比較的短い光に対して高い感度で光電変換を達成する。【解決手段】 表面を有する第1導電型の半導体層2と、半導体層2の受光部に形成された少なくともひとつの第2導電型の不純物拡散層3とを備え、不純物拡散層3によってフォトダイオードが形成されている。不純物拡散層3内の第2導電型不純物は、半導体層2の表面に近づくほど濃度が高くなるように分布している。
Claim (excerpt)：
表面を有する第1導電型の半導体層と、該半導体層の受光部に形成された少なくともひとつの第2導電型の不純物拡散層とを備え、該不純物拡散層によってフォトダイオードが形成されている受光素子であって、該不純物拡散層内の第2導電型不純物は、該半導体層の該表面に近づくほど濃度が高くなるように分布している受光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 31/10 A
, H01L 21/265 H
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
