Pat
J-GLOBAL ID:200903047686142525
半導体素子及び半導体素子の搭載方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
塩入 明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992345599
Publication number (International publication number):1994168859
Application date: Nov. 30, 1992
Publication date: Jun. 14, 1994
Summary:
【要約】【目的】 LEDアレイの性能管理を容易にし、誤ったLEDアレイの搭載を防止する。【構成】 ウェハーの段階で、ウェハー02内でのLEDアレイ2の位置を現すアドレスマークを設ける。測定した性能データとアドレスとの対応表をメモリに用意して、アレイ2のアドレスマークから性能を読み取れるようにし、アドレスマークを認識しながらアレイ2を実装するようにする。
Claim (excerpt):
ウェハーから多数の素子を切り出すようにした半導体素子において、各半導体素子にウェハー内での位置を示すアドレスマークを設けたことを特徴とする半導体素子。
IPC (6):
H01L 21/02
, G06F 15/46
, H01L 21/68
, H01L 21/78
, H01L 27/15
, H01L 33/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
特開昭61-029119
-
特開昭61-142734
-
特開平4-171709
-
特開平2-015612
-
特開平4-262543
Show all
Return to Previous Page