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J-GLOBAL ID：200903047687861789

ウェハボンディングへテロ構造を含む発光半導体デバイス

Inventor： マイケル アール クレイムス ,  クリストファー ピー ココット
Applicant, Patent owner： ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー
Agent (1)： 中村 稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001320214
Publication number (International publication number)：2002151735
Application date： Oct. 18, 2001
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】 キャリア閉じ込めを向上させる発光半導体デバイスを提供する。【解決手段】 発光半導体デバイスを形成する方法は、活性領域を含む層のスタックを作成する工程と、キャリア閉じ込め半導体を含む構造を上記スタックにウェハボンディングする工程とを含む。発光半導体デバイスは、第1伝導型を有する第1半導体により形成される第1キャリア閉じ込め層と、活性領域と、上記活性領域と上記第1キャリア閉じ込め層との間に設けられるウェハボンディング界面とを含む。発光半導体デバイスは、さらに、第2伝導型を有する第2半導体により形成される第2キャリア閉じ込め層を含み、上記活性領域は、上記第1キャリア閉じ込め層と上記第2キャリア閉じ込め層との間に設けられる。ウェハボンディングされる閉じ込め層によって、キャリア閉じ込めおよびデバイス性能が向上する。

Claim (excerpt)：

第1伝導型を有する第1半導体により形成される第1キャリア閉じ込め層と、活性領域と、前記活性領域と前記第1キャリア閉じ込め層との間に設けられるウェハボンディング界面と、を具備することを特徴とする発光半導体デバイス。

F-Term (5)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77