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J-GLOBAL ID：200903047694656112

表面の金属コンタミネーションを検出する方法

Inventor： ヒッグス、ビクター
Applicant, Patent owner： エーオーティーアイ オペレーティング カンパニー インコーポレーティッド
Agent (1)： 松永 孝義
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002533365
Publication number (International publication number)：2004511104
Application date： Oct. 05, 2001
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】半導体若しくはシリコン構造の表面又は表面付近の金属コンタミネーションを検出する方法を提供すること。【解決手段】当該構造又はその一部が予め決められた波長の励起(excitation)ビームに露光し、当該構造からのルミネセンスを半導体によってもたらされる実質的に均一な強度を有するPLマップ形式で集め、表面又は表面付近の金属コンタミネーションの特徴点を特定する強化された(enhanced)PL強度領域の一つ又はそれ以上をマップにより検査することで表現される。特に、当該方法はイン-プロセス品質管理又は連結部などの製造された構造の品質管理として応用される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体若しくはシリコン構造又はその一部を予め決められた波長の励起(excitation)ビームに露光し、当該構造からの発光をPLマップ形式で集め、該強化(enhanced)されたPL強度領域の一つ又はそれ以上を検索し、表面又は表面の金属のコンタミネーションの特徴点を特定する(identifying characteristic surface or near surface contamination)ことを含む、半導体又はシリコン構造中の表面又は表面付近の金属のコンタミネーション(contamination)を見つけ出す方法。

IPC (3)：

H01L21/66 ,  G01N21/64 ,  G01N21/88

FI (4)：

H01L21/66 N ,  H01L21/66 A ,  G01N21/64 E ,  G01N21/88 K

F-Term (38)：

2G043AA03 ,  2G043BA01 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043FA02 ,  2G043GA07 ,  2G043GB19 ,  2G043HA01 ,  2G043HA05 ,  2G043HA09 ,  2G043HA15 ,  2G043JA02 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA08 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G043NA01 ,  2G043NA05 ,  2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AB20 ,  2G051BA08 ,  2G051BA10 ,  2G051BB17 ,  2G051CA01 ,  2G051CA04 ,  2G051CA07 ,  2G051CC07 ,  2G051CC11 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA05 ,  4M106CA50 ,  4M106CB30 ,  4M106DA15 ,  4M106DH32