Pat

J-GLOBAL ID：200903047705684504

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 磯部 敦生 ,  高山 徹 ,  荒尾 達也
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001245924
Publication number (International publication number)：2002151524
Application date： Aug. 14, 2001
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】 さらなる低温プロセス(350°C以下、好ましくは300°C以下)を実現し、安価な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層103を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層103の一部にn型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域107(非晶質構造を有する領域)を形成した後、100〜300°Cの加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域108を形成し、非晶質な領域のままでTFTのソース領域またはドレイン領域とする。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上のTFTを含む半導体装置において、前記TFTのチャネル形成領域は、結晶構造であり、且つ、前記TFTのソース領域またはドレイン領域は、主に非晶質構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1362 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786

FI (10)：

G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1362 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 616 V

F-Term (146)：

2H090HA08 ,  2H090HB08X ,  2H090HC01 ,  2H090HC11 ,  2H090HC15 ,  2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H090LA04 ,  2H090LA15 ,  2H090LA20 ,  2H090MB01 ,  2H092GA40 ,  2H092GA50 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KB24 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092NA28 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB05 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BC15 ,  5F048BC16 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F052AA01 ,  5F052AA11 ,  5F052BA06 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB04 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052FA06 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG48 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ22 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HM07 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-118635   Applicant：三洋電機株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-240303   Applicant：ソニー株式会社