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J-GLOBAL ID：200903047707077761

量子井戸型レーザダイオード

Inventor： 早川 利郎
Applicant, Patent owner： イーストマン・コダックジャパン株式会社
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991320391
Publication number (International publication number)：1993160515
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】歪み量子井戸型レーザダイオードにおいて、劣化に関わるストレスの影響を低減し、高信頼性を得る。【構成】(111)B面から(100)面に向って0.5度ずれた面方位を有するn-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2、n-Al0.45Ga0.55Asクラッド層3、Al0.15Ga0.85As光ガイド層4、GaAsバリア層5、In0.2 Ga0.8 As歪み量子井戸層6、GaAsバリア層7、Al0.15Ga0.85As光ガイド層8、p-Al0.45Ga0.55Asクラッド層9、p-GaAsキャップ層10を分子線エピタキシ法を用いて連続的に形成する。歪み量子井戸構造においてはストレスは量子井戸層に平行な方向に働くため、(111)方位ではストレスが少なく劣化が抑制される。

Claim (excerpt)：

20nm厚以下の量子井戸を活性層とする量子井戸型レーザダイオードにおいて、前記量子井戸活性層の格子定数がこの量子井戸活性層に隣接するバリア層の格子定数と0.1%以上異なり、かつ前記量子井戸活性層の結晶方位が(111)近傍であることを特徴とする量子井戸型レーザダイオード。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00