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J-GLOBAL ID：200903047708684297

低反射グレーティングが形成された光デバイス及び低反射グレーティングの製造方法

Inventor： 上塚 尚登 ,  荒井 英明
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996030657
Publication number (International publication number)：1997222522
Application date： Feb. 19, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】低反射グレーティングにおいて、矩形状のスペクトル特性を実現する。【解決手段】導波路の光の伝搬方向の位置Zに対して、導波路のコア幅を変化させ、導波路のコアに紫外線光を照射することにより、導波路のコアに包絡形状が|sin(C・Z) |/|C・Z|の関数形に従って変化する周期的な凹凸状の屈折率分布を形成すると共に、Z=mπ/C(m=...,-3 ,-2,-1,1,2,3...)において導波路を伝搬する光の位相がπだけシフトする構造とした。

Claim (excerpt)：

コアが該コアよりも屈折率の小さいクラッドに埋め込まれてなる導波路の前記コアに、特定の波長の光を反射させるべく光の伝搬方向に沿って周期的な凹凸状の屈折率分布をなすグレーティングが形成された光デバイスにおいて、前記導波路の光の伝搬方向の位置Zに対して、前記導波路のコア幅Wが次式W=W0 -ΔW・|sin(C・Z) |/|C・Z|但し、W0 は本来の導波路のコア幅(両側のコア幅)ΔWはコア幅の減少幅(W0 とコア最小幅との差)Cは任意の定数に従って変化すると共に、前記周期的な凹凸状の屈折率分布の包絡形状が|sin(C・Z) |/|C・Z|の関数形に従って変化し、Z=mπ/C(m=...,-3 ,-2,-1,1,2,3...)において前記導波路を伝搬する特定の波長の光の位相がπだけシフトするグレーティング構造としたことを特徴とする低反射グレーティングが形成された光デバイス。

IPC (3)：

G02B 6/12 ,  G02B 5/18 ,  G02B 6/00 306

FI (3)：

G02B 6/12 F ,  G02B 5/18 ,  G02B 6/00 306