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J-GLOBAL ID：200903047728105129

半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体装置の製造装置

Inventor： 波多野 達夫 ,  花田 良幸
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000402464
Publication number (International publication number)：2002203810
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 下地材料にかかわらずTiSixコンタクトを有効に形成することができる半導体装置の製造方法およびそれにより形成された半導体装置、ならびにこのような半導体装置の製造装置を提供すること。【解決手段】 導電層2上にpoly-Si層5を形成する工程と、poly-Si層5の上にCVDによりTi膜を成膜し、Ti膜とpoly-Si層との反応によりTiSix膜6を形成する工程とを具備する。

Claim (excerpt)：

導電層上にpoly-Si層を形成する工程と、前記poly-Si層の上にTi膜を成膜し、前記Ti膜と前記poly-Si層との反応によりTiSix膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/28 301 ,  C23C 16/06 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (8)：

H01L 21/28 301 T ,  C23C 16/06 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 Y

F-Term (83)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030BA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BB03 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4M104AA01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB26 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD23 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD84 ,  4M104FF18 ,  4M104HH15 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK29 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033XX09 ,  5F040DA10 ,  5F040DA22 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC09 ,  5F040EC13 ,  5F040EC26 ,  5F040EH01 ,  5F040EH02 ,  5F040EH07 ,  5F040FA03 ,  5F040FC10 ,  5F040FC19 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB30 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF10 ,  5F045CB10 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ04 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH14 ,  5F045EH18 ,  5F045EK07 ,  5F045EN04 ,  5F045HA01 ,  5F045HA22 ,  5F045HA25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-084227   Applicant：日本電気株式会社
• プラズマCVDによる薄膜形成方法とプラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-230007   Applicant：アネルバ株式会社
• 半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-032232   Applicant：三星電子株式会社
• 特開昭61-230373
  
• 特開昭62-007165
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-041849   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-064369   Applicant：ソニー株式会社