Pat
J-GLOBAL ID:200903047737369686
固体撮像素子
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小林 良平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002215009
Publication number (International publication number):2004056048
Application date: Jul. 24, 2002
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
【課題】1画素内に1つの光電変換部に対し2つの電荷蓄積部を設け、光の強度変調に同期して2つの電荷蓄積部に電荷を振り分ける構成を有する固体撮像素子において、ダイナミックレンジを改善する。【解決手段】フォトゲート11と、そこで発生した電荷を転送するための転送ゲート131、132との間に生じる寄生的なn+拡散層15の電位をセットするためのMOSトランジスタ16を設け、信号電荷の転送に先立ってMOSトランジスタ16を介して寄生拡散層15を所定電位に設定する。これにより、寄生拡散層15による電位ポケットが埋められるため、フォトゲート11から浮遊拡散層121、122へと転送される信号電荷が寄生拡散層15に捕捉されなくなる。その結果、微弱光に対する信号も取り出すことができ、ダイナミックレンジが改善される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
光を受けて信号電荷を発生する光電変換部と、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部と、外部からの制御信号に応じて前記光電変換部から電荷蓄積部へと信号電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷蓄積部の蓄積電荷に応じた電圧を出力する出力部と、を含んで1個の画素が構成され、該画素を複数備えた固体撮像素子において、
前記光電変換部と電荷転送部との間に形成される寄生的な拡散層に対して所定電圧を印加する電圧印加手段を備えることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3):
H01L27/146
, H04N5/238
, H04N5/335
FI (4):
H01L27/14 A
, H04N5/238 Z
, H04N5/335 P
, H04N5/335 U
F-Term (19):
4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA03
, 4M118CA22
, 4M118DD04
, 4M118DD09
, 4M118FA06
, 4M118FA08
, 5C022AB15
, 5C022AC42
, 5C024AX03
, 5C024CX47
, 5C024CX61
, 5C024GX02
, 5C024GY31
, 5C024GZ24
, 5C024HX29
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
固体撮像装置及びその駆動方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-042066
Applicant:株式会社東芝
Return to Previous Page