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J-GLOBAL ID：200903047760014607

欠陥ペロブスカイト型イオン伝導性固体電解質

Inventor： 森 利之 ,  山村 博 ,  小林 秀彦 ,  三田村 孝
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993293616
Publication number (International publication number)：1994239658
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Aug. 30, 1994
Summary：

【要約】【構成】Ba2M2O5またはBaM2O4(Mは、3価の金属元素であって6配位を仮定した場合のイオン半径が0.95〜1.1オングストロ-ムとなるものを示す)で表され、対理論密度が80%以上であり、かつ、250〜400°Cに降温時の酸素欠陥の秩序-無秩序転移点を有する、欠陥ペロブスカイト型イオン伝導性固体電解質。【効果】比較的低い温度で良好なイオン伝導性を示す固体電解質材料であって、燃料電池用のセル材料として有用である。

Claim (excerpt)：

Ba2M2O5またはBaM2O4(Mは、3価の金属元素であって6配位を仮定した場合のイオン半径が0.95〜1.1オングストロ-ムとなるものを示す)で表され、対理論密度が80%以上であり、かつ、250〜400°Cに降温時の酸素欠陥の秩序-無秩序転移点を有することを特徴とする、欠陥ペロブスカイト型イオン伝導性固体電解質。

IPC (4)：

C04B 35/00 ,  C04B 35/50 ,  H01B 1/06 ,  H01M 8/02