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J-GLOBAL ID：200903047774281071

高品質ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法

Inventor： 松井 丈雄 ,  湯田坂 雅子 ,  大木 芳正
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  三菱化学株式会社 ,  松下電器産業株式会社
Agent (1)： 田中 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996237500
Publication number (International publication number)：1998087395
Application date： Sep. 09, 1996
Publication date： Apr. 07, 1998
Summary：

【要約】【目的】レーザーアブレーション法において、高品質のダイヤモンド状炭素薄膜を形成する方法を提供する。【構成】レーザーアブレーション法によって、基板上にダイヤモンド状炭素薄膜を蒸着して成膜するに際し、レーザーエネルギー密度を成膜下限界領域に保つことを特徴とする高品質ダイヤモンド状炭素薄膜の成膜方法である。

Claim (excerpt)：

レーザーアブレーション法によって、基板上にダイヤモンド状炭素薄膜を蒸着して製造するに際し、レーザーエネルギー密度を成膜エネルギー密度下限界領域に保つことを特徴とする高品質ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/06 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/28

FI (4)：

C30B 29/04 A ,  C01B 31/06 A ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/28