Pat

J-GLOBAL ID：200903047774755340

ポリイミド基板の製造方法

Inventor： 田宮 幸広 ,  竹中 幹又
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991012558
Publication number (International publication number)：1993327207
Application date： Jan. 11, 1991
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】[目的] 高信頼性を有するPWBやFPCやTABの作成を可能とする、無電解めっき被膜と電解めっき被膜と密着強度の大きいポリイミド基板の作成方法の提供。[構成] ポリイミド樹脂の片面、あるいは両面に導電性被膜を設けたポリイミド基板の製造方法において、ポリイミド樹脂表面に10μm以下好ましくは5μm以下の導電性薄膜を設けた後、これを不活性雰囲気中で300〜500°Cで熱処理し、次いで該導電性被膜の表面を次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、過塩素酸イオンの内の少なくとも1種のイオンを含む溶液で洗浄し、次いで、該導電性薄膜の表面にさらに電気めっきを施すことにより導電性被膜を形成する。

Claim (excerpt)：

ポリイミド樹脂の片面、あるいは両面に導電性被膜を設けたポリイミド基板の製造方法において、ポリイミド樹脂表面に10μm以下の導電性薄膜を設けた後、これを不活性雰囲気中で300〜500°Cで熱処理し、次いで該導電性被膜の表面を次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、過塩素酸イオンの内の少なくとも1種のイオンを含む溶液で洗浄し、次いで、該導電性薄膜の表面にさらに電気めっきを施すことにより導電性被膜を形成することを特徴とするポリイミド基板の製造方法。

IPC (3)：

H05K 3/38 ,  B32B 15/08 ,  H05K 1/03