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J-GLOBAL ID：200903047778423369

光近接効果補正の検証方法および検証装置

Inventor： 池内 敦彦
Applicant, Patent owner： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003155461
Publication number (International publication number)：2004354919
Application date： May. 30, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】LSIのマスクデータに関して光近接効果補正の検証を行う際、従来の検証方法に比べて計算機処理時間および検証時間を大幅に短縮し、かつ、高精度の検証を実現する。【解決手段】LSIのレイアウト設計、マスクデータ作成処理に伴う光近接効果補正の検証処理に際して、レイアウトパターンを抽出し、光近接効果補正の危険個所を致命的な問題が生じる可能性があるエラーと歩留まりに影響を及ぼす可能性があるエラーに分類し、分類の結果に基づいて処理の優先順序を決定することによって、特定の高い転写精度が必要とされるパターンに対して高精度の光近接効果補正検証処理を実施し、全体として高速かつ実質的な光近接効果補正の検証処理を実施する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体集積回路のレイアウトパターンを抽出し、光近接効果補正の危険個所を致命的な問題が生じる可能性があるエラーと歩留まりに影響を及ぼす可能性があるエラーに分類する分類ステップと、 前記分類ステップによる分類の結果に基づいて処理の優先順序を決定するステップ とを具備することを特徴とする光近接効果補正の検証方法。

IPC (1)：

G03F1/08

FI (1)：

G03F1/08 A

F-Term (1)：

2H095BB01