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J-GLOBAL ID：200903047785031239

薄膜磁気素子

Inventor： 山口 一幸 ,  鳥生 次郎
Applicant, Patent owner： 株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991164229
Publication number (International publication number)：1994084639
Application date： Jul. 04, 1991
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、積層歪みによる剥離を防止して、作製歩留を大幅に向上させた薄膜磁気素子を提供することを目的とする。【構成】本発明の第1の構成は、上層磁性薄膜11と下層磁性薄膜14を絶縁層16〜18や1次コイル12、2次コイル13を挾んで積層する場合に、その周縁部において、上層磁性薄膜11を下層磁性薄膜14の周縁にはみ出た部分19を形成するように積層することである。又、第2の構成は、磁性薄膜11,14や1次コイル12、2次コイル13を絶縁するため、複数の絶縁層16〜18を積層する場合に、その周縁部において、上側の絶縁層が下側の絶縁層の外側にはみ出た部分20,21を形成するように絶縁層16〜18を積層することである。

Claim (excerpt)：

磁性薄膜トランス、磁性薄膜インダクタ等の薄膜磁気素子において、絶縁層、導体パターン層を挾んで複数の磁性薄膜を積層する場合に、磁性薄膜の周縁部において、上層磁性薄膜が下層磁性薄膜の外部にはみ出すように積層することを特徴とする薄膜磁気素子。

IPC (2)：

H01F 10/06 ,  H01F 27/28