Pat

J-GLOBAL ID：200903047802933217

半導体基板の洗浄方法

Inventor： 沖 一郎
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991259353
Publication number (International publication number)：1993102115
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板内部に金属不純物を拡散させることなく基板表面に金属不純物を取り込んだ酸化膜を形成でき、表面の酸化膜と共に金属不純物を除去する。【構成】 オゾン雰囲気中で半導体基板表面に紫外光を照射して酸化膜を形成し、この後に界面活性剤を添加したバッファフッ酸又は希フッ酸溶液で酸化膜を除去して基板表面に付着している金属不純物を除去する。

Claim (excerpt)：

オゾン雰囲気中で金属不純物の付着した半導体基板表面に紫外光を照射して金属不純物を含む酸化膜を形成し、この後界面活性剤を添加したバッファフッ酸又は希フッ酸溶液で処理することによって酸化膜と共に金属不純物を除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304