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J-GLOBAL ID：200903047803793800

半導体レ-ザ素子

Inventor： 田中 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995178401
Publication number (International publication number)：1997036472
Application date： Jul. 14, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、紫外から青紫色に相当する波長領域の面発光型やFabry-Perot型半導体レ-ザ素子を提供することにある。【構成】 図1(a)に示す(0001)C面を有したサファイア基板1上に、まず層5までに相当する、GaInN/AlGaN多層膜からなるDBR構造反射膜を含んだn型GaN光導波層を有機金属気相成長法により結晶成長しておく。次に、図1(b)に示すようなパタ-ンを絶縁膜とフォトリソグラフィ-により形成し、歪多重量子井戸構造発光活性層8を光導波層7,9で埋め込んだ形の正六角柱状垂直共振器構造を作製する。このとき、正六角柱状導波路共振構造の側面には、GaInN/AlGaN多層膜からなるDBR構造反射膜10が結晶成長により形成してある。さらに、垂直共振器面となるDBR構造反射膜12を形成した後、p電極13及びn電極14を蒸着する。【効果】 垂直共振器の側面に設けたDBR構造高反射膜によって、導波路から漏れだす光を帰還させるフォトンリサイクングを利用できるので低閾値と高効率動作を達成できた。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に設けた発光素子の光導波路構造において、該光導波路は少なくとも基板に対して垂直な導波路側面を有しており、該導波路上面は一様に平坦な面でかつ基板面と平行であり、該光導波路構造の断面形状は少なくとも矩形状を有しており、該光導波路構造の内部に関しては、屈折率が大きくかつ禁制帯幅の小さな発光発光層とそれを挾んだ屈折率が小さな禁制帯幅の大きな光導波層とからなり、該導波路上面に形成したキャリアを閉じ込める発光活性層に対しては横方向に実屈折率差を設けてある埋め込み構造を構成していることを特徴とする半導体レ-ザ素子。