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J-GLOBAL ID：200903047807727801

半導体積層薄膜およびその製造方法

Inventor： 今井 秀秋 ,  平井 匡彦 ,  宮田 邦夫
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Agent (1)： 渡辺 一雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020923
Publication number (International publication number)：1993055631
Application date： Feb. 06, 1992
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電子素子として好適な窒化ガリウム系半導体積層薄膜を得る。【構成】 CBE法によってオフ角が0.8度以下のサファイア基板上に窒化ガリウム系半導体薄膜を積層する構造の半導体積層薄膜とその製造方法。【効果】 オフ角が0.8度以下のサファイア基板上に、表面が平坦で結晶性の良好な窒化ガリウム系半導体薄膜が積層した構造の半導体積層薄膜を得ることができる。発光素子、受光素子や高温で動作するトランジスタ用の半導体薄膜積層体として好適なものである。

Claim (excerpt)：

オフ角0.8度以下のサファイアR面基板上に窒化ガリウム系半導体薄膜が積層されてなることを特徴とする窒化ガリウム系半導体積層薄膜。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/86