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J-GLOBAL ID：200903047808460426

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
新宮 昌生

About 新宮 昌生

, 
木下 敦寛

About 木下 敦寛

, 
土屋 義規

About 土屋 義規


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (2)： 松山 允之 ,  池上 徹真
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006231532
Publication number (International publication number)：2008060101
Application date： Aug. 29, 2006
Publication date： Mar. 13, 2008
Summary：
【課題】電極の接触抵抗、電極自身の抵抗の低減によって高性能化した電界効果トランジスタを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板200に形成されたチャネル領域106と、ゲート絶縁膜101を介して形成されたゲート電極と、チャネル領域106の両側に形成されたソース電極およびドレイン電極を具備するn型電界効果トランジスタを含み、ソース電極およびドレイン電極が第1の金属のシリサイド110aで形成され、半導体基板200と第1の金属のシリサイド110aとの界面に、第2の金属120aを含有する界面層が形成され、第2の金属120aの仕事関数が第1の金属のシリサイド110aの仕事関数よりも小さく、かつ、第2の金属120aのシリサイドの仕事関数が第1の金属のシリサイド110aの仕事関数よりも小さいことを特徴とする半導体装置およびその製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体基板に形成されたチャネル領域と、 前記チャネル領域表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記チャネル領域の両側に形成されたソース電極およびドレイン電極を具備するn型電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、 前記ソース電極およびドレイン電極が第1の金属のシリサイドで形成され、 前記半導体基板と前記第1の金属のシリサイドとの界面に、第2の金属を含有する界面層が形成され、 前記第2の金属の仕事関数が前記第1の金属のシリサイドの仕事関数よりも小さく、かつ、前記第2の金属のシリサイドの仕事関数が前記第1の金属のシリサイドの仕事関数よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786
FI (9)：
H01L29/78 301P ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616V
F-Term (137)：
4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F048AA00 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB15 ,  5F048BC05 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA27 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA20 ,  5F140BB05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF18 ,  5F140BF19 ,  5F140BF21 ,  5F140BF29 ,  5F140BF38 ,  5F140BF40 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG33 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ09 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ18 ,  5F140BJ19 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK28 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体の接続領域の接触抵抗を低減する方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-301664   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
Cited by examiner (4)
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