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J-GLOBAL ID：200903047808927677

水素吸収により誘起されるパラジウム及びパラジウム合金粒子上への金属堆積

Inventor： ワン ジア エックス ,  アジック ラドスラフ アール
Applicant, Patent owner： ブルックヘヴン サイエンス アソシエイツ
Agent (5)： 熊倉 禎男 ,  小川 信夫 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  平山 孝二
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007548190
Publication number (International publication number)：2008525638
Application date： Aug. 23, 2005
Publication date： Jul. 17, 2008
Summary：

本発明は、金属コーティングパラジウム又はパラジウム合金粒子を生成するための方法に関する。本方法は、水素吸収パラジウム又はパラジウム合金粒子を1つ又はそれ以上の金属塩と接触させて水素吸収パラジウム又はパラジウム合金粒子の表面上に準単原子又は単原子金属又は金属合金コーティングを生成する段階を含む。また、本発明は、触媒を生成するための方法及び本発明の金属コーティングパラジウム又はパラジウム合金粒子を用いて電気エネルギーを発生するための方法にも関する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属コーティングパラジウム又はパラジウム合金粒子を生成するための方法であって、前記方法が、水素吸収パラジウム又はパラジウム合金粒子を金属塩又は金属塩混合物と接触させ、前記水素吸収パラジウム又はパラジウム合金粒子の表面上に準単原子又は単原子金属コーティング又は準単原子又は単原子金属合金コーティングを堆積させ、それによって金属コーティング又は金属合金コーティングパラジウム又はパラジウム合金粒子を生成する段階を含むことを特徴とする方法。

IPC (7)：

B22F 1/02 ,  B01J 23/44 ,  B01J 35/02 ,  H01M 4/94 ,  H01M 4/90 ,  H01M 4/88 ,  B82B 3/00

FI (7)：

B22F1/02 A ,  B01J23/44 M ,  B01J35/02 H ,  H01M4/94 ,  H01M4/90 M ,  H01M4/88 K ,  B82B3/00

F-Term (52)：

4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA12 ,  4G169BA08A ,  4G169BA08B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BC29A ,  4G169BC33A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC72A ,  4G169BC72B ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169CC32 ,  4G169EA01X ,  4G169EA01Y ,  4G169EB18X ,  4G169EB18Y ,  4G169EB19 ,  4G169EC25 ,  4G169EC28 ,  4G169FA01 ,  4G169FA02 ,  4G169FB14 ,  4G169FB17 ,  4K018BA01 ,  4K018BC21 ,  4K018BD07 ,  4K018KA38 ,  5H018AA02 ,  5H018AA08 ,  5H018AS02 ,  5H018AS03 ,  5H018BB05 ,  5H018BB12 ,  5H018EE02 ,  5H018EE03 ,  5H018EE04 ,  5H018EE05 ,  5H018EE06 ,  5H018EE07 ,  5H018EE08 ,  5H018EE10 ,  5H018EE11 ,  5H018EE12 ,  5H018EE16 ,  5H018EE17 ,  5H018HH01 ,  5H018HH05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6,670,301号公報
  

Cited by examiner (1)

• 複合粉末の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-338774   Applicant：田中貴金属工業株式会社