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J-GLOBAL ID:200903047812304838

希土類系テープ状酸化物超電導体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 守谷 一雄 ,  渡部 弘道
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002334073
Publication number (International publication number):2004171841
Application date: Nov. 18, 2002
Publication date: Jun. 17, 2004
Summary:
【課題】非真空プロセスにより、希土類系テープ状酸化物超電導体を提供する。【解決手段】Ni又はNi基合金からなる基板に還元性雰囲気中で熱処理を施して基板上の酸化物被膜を除去して清浄表面を露出させた後、この基板上に有機金属塩を塗布し、次いで弱還元性雰囲気中で熱処理を施して有機金属塩を熱分解させることにより、基板上に結晶化した酸化物中間層を形成する。さらに、弱酸化性雰囲気中で熱処理を施して、基板と酸化物中間層との間にNi酸化物の薄層を形成した後、酸化物中間層の表面に希土類系酸化物超電導層をTFA-MOD法で形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
金属基板の清浄表面上に、前記金属基板を構成する元素の酸化物の薄層、希土類系酸化物超電導体との反応性が小さく、かつ超電導体へのNiの拡散を抑制する有機金属塩塗布熱分解法により形成された酸化物中間層及び希土類系酸化物超電導層を順次形成したことを特徴とする希土類系テープ状酸化物超電導体。
IPC (2):
H01B13/00 ,  H01B12/06
FI (2):
H01B13/00 565D ,  H01B12/06
F-Term (8):
5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321CA04 ,  5G321CA18 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB41
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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