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J-GLOBAL ID：200903047813681740

加速度センサおよびその製造方法

Inventor： 村松 義久
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992074840
Publication number (International publication number)：1993281251
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】重錘部と支持部とを連結する梁部の上の絶縁膜の膜応力により、ピエゾ抵抗の形成された梁部が変形することによる特性の変動のない加速度センサを提供する。【構成】絶縁に対する要求の低い梁部3表面上の絶縁膜の厚さをストップエッチングなどにより支持部1および重錘部2表面上の絶縁膜より薄くする。あるいは梁部3の裏面側にも絶縁膜を設け、その膜応力を表面上の絶縁膜の膜応力と均衡させる。そのためにはSOI基板を用い、絶縁膜上の半導体層により梁部を形成することが有効である。

Claim (excerpt)：

支持部と重錘部とそれらを連結する肉厚の薄い梁部とからなる半導体素体の梁部の表面層に複数のピエゾ抵抗が形成され、その半導体素体のピエゾ抵抗が形成される側の表面上に絶縁膜を備えるものにおいて、梁部表面上の絶縁膜の全体の厚さが支持部および重錘部上の絶縁膜の全体の厚さの1/2 〜1/10であることを特徴とする加速度センサ。

IPC (3)：

G01P 15/12 ,  G01L 9/04 ,  H01L 29/84