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J-GLOBAL ID：200903047844636301

化合物半導体素子の加工表面処理方法

Inventor： 南部 芳弘
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993324982
Publication number (International publication number)：1995183306
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】ガリウム(Ga)および砒素(As)を含むIII-V族化合物半導体からなる半導体素子の表面再結合による無効電流を低減するための簡便な表面処理方法を提供する。【構成】下部半導体多層反射膜4と活性層6と上部半導体多層反射膜10を順次半導体基板上に形成し、マスク11を用いて活性層6の直下までエッチングすることにより発光領域12を形成する。次に高真空中で試料を成長室に搬入し、りんガス(P2 ) 雰囲気中で加熱処理し、活性層6のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する表面保護半導体層13を形成する。次にマスク11を除去し発光領域12の上面に電極を形成する。

Claim (excerpt)：

ガリウム(Ga)および砒素(As)を含むIII-V族化合物半導体により作製された半導体素子を、りん(P)雰囲気中で加熱処理することを特徴とする化合物半導体素子の加工表面処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/324 ,  H01L 27/12 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-291916
  
• 特開昭53-090861