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J-GLOBAL ID：200903047849632568

多値強誘電体メモリ

Inventor： 荻原 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998264834
Publication number (International publication number)：2000100175
Application date： Sep. 18, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】多値FRAMにおけるFRAMセルの複数のセルキャパシタ間の"0" データ同士および"1" データ同士を区別可能な状態で四値以上の多値の分極量を容易に記憶させ、セルの1回の読み出し動作でそのデータの読み出しを行う。【解決手段】それぞれ電極間絶縁膜に強誘電体膜が用いられてなり、各一端が共通接続された複数個のセルキャパシタCA、CBと、複数個のセルキャパシタの各一端側の共通接続ノードに一端が接続された少なくとも1個のスイッチ素子Qと、複数個のキャパシタと1個のスイッチ素子とにより構成されるメモリセルが二次元に配列されて形成されたメモリセルアレイMCAとを具備する多値FRAMにおいて、各メモリセルの複数個のキャパシタはそれぞれの容量値が実質的に異なる。

Claim (excerpt)：

それぞれ電極間絶縁膜に強誘電体膜が用いられてなり、それぞれの容量値が実質的に異なり、各一端が共通接続された複数個のキャパシタおよび前記複数個のキャパシタの各一端側の共通接続ノードに一端が接続された少なくとも1個のスイッチ素子により構成されるメモリセルが二次元に配列されて形成されたメモリセルアレイを具備することを特徴とする多値強誘電体メモリ。

IPC (4)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/56 ,  H01L 27/10 451

FI (5)：

G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/56 ,  H01L 27/10 451 ,  G11C 11/34 381 A

F-Term (7)：

5B024AA07 ,  5B024AA15 ,  5B024BA01 ,  5B024CA07 ,  5B024CA25 ,  5F083FR01 ,  5F083ZA21