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J-GLOBAL ID：200903047867337107

偏極電子線発生素子

Inventor： 岸野 克巳 ,  坂 貴 ,  加藤 俊宏 ,  中西 彊 ,  堀中 博道
Applicant, Patent owner： 岸野 克巳 ,  大同特殊鋼株式会社
Agent (1)： 池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993029824
Publication number (International publication number)：1994223709
Application date： Jan. 25, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体光電層で発生した偏極電子が表面側へ移動し易くなるようにして取出効率を向上させる。【構成】 半導体光電層としての第2半導体16に対するZnのドーピング量を、内部から表面18に向かうに従って連続的に少なくすることにより、最も内側の第1半導体14との界面付近のキャリア濃度を1×1019(cm-3) 程度、表面18付近のキャリア濃度を5×1017(cm-3) 程度とし、伝導帯のエネルギーレベルが表面18側程低くなるようにした。

Claim (excerpt)：

価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子において、前記半導体光電層の不純物のドーピング量を表面側より内部側の方を多くし、伝導帯のポテンシャルエネルギーが表面側程小さくなるようにしたことを特徴とする偏極電子線発生素子。