Pat
J-GLOBAL ID:200903047873792479

導電性有機分子薄膜の導電性の測定方法及び導電性有機分子薄膜を有する構造体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 井上 俊夫 ,  井上 俊夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998259242
Publication number (International publication number):2000074967
Application date: Aug. 28, 1998
Publication date: Mar. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】 基板上に自己組織化により形成される導電性分子薄膜の導電性を測定すること。【解決手段】 表面部に酸化膜を有するシリコン基板の表面に金あるいは銀により一対の電極を形成し、チオフェンあるいはピロールとシリコンとを含む有機シリコン化合物を、当該化合物のシリコン部分において酸素を介して前記酸化膜に結合することにより、電極間に導電性有機分子薄膜を形成し、チオフェン部分あるいはピロール部分のS(N)原子を電極材料の金や銀と配位させることにより分子薄膜と電極との電気的接触を確保する。
Claim (excerpt):
少なくとも表面部に形成された絶縁層と、この絶縁層の表面に形成された水酸基と、この水酸基が並ぶ領域がその間に介在するように形成された一対の金属電極と、を有する基板に、下記一般式(化1)で表される有機シリコン化合物の溶液または蒸気を接触させて、当該有機シリコン化合物を前記水酸基と反応させて導電性である有機シリコン化合物の分子薄膜を基板表面に形成し、前記金属電極間に電圧を印加して前記分子薄膜の導電性を測定することを特徴とする導電性有機分子薄膜の導電性の測定方法。【化1】(式中Xはアルキル基またはシリル基、R1、R2及びR3のうちの一つは水酸基の水素と反応して共有結合を形成する基、R1、R2及びR3のうちの残り二つは水酸基の水素と反応しない基、R4はアルキル基、アリ-ル基またはヒドロ基、aは1以上の正の整数、bは1以上の正の整数である。)
IPC (4):
G01R 27/02 ,  C08G 61/12 ,  G01N 27/04 ,  C07F 7/12
FI (5):
G01R 27/02 R ,  C08G 61/12 ,  G01N 27/04 Z ,  C07F 7/12 S ,  C07F 7/12 V
F-Term (33):
2G028AA03 ,  2G028BC02 ,  2G028CG02 ,  2G028DH03 ,  2G028FK01 ,  2G028FK02 ,  2G028HN09 ,  2G060AA20 ,  2G060AE40 ,  2G060AF02 ,  2G060AF08 ,  2G060AG08 ,  2G060AG10 ,  2G060AG15 ,  2G060HA01 ,  4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ59 ,  4H049VQ61 ,  4H049VQ76 ,  4H049VR22 ,  4H049VR23 ,  4H049VR31 ,  4H049VU24 ,  4H049VU36 ,  4H049VW02 ,  4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA13 ,  4J032BA14 ,  4J032BB03 ,  4J032BC12 ,  4J032CG01

Return to Previous Page