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J-GLOBAL ID：200903047886064979
磁界センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992067144
Publication number (International publication number)：1993275769
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 磁界感度の高い磁界センサを提供することにある。【構成】 基板1上に第1の電極2を設け、その第1の電極2の端部2a上に巨大磁気抵抗効果を示す積層磁性膜4を形成し、その積層磁性膜4の上面を第2の電極10の端部10aで覆い、前記第1の電極2と第2の電極10との間に電気絶縁層3を設けたことを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
基体上に第1の電極を設け、その第1の電極の端部上に巨大磁気抵抗効果を示す積層磁性膜を形成し、その積層磁性膜の上面を第2の電極の端部で覆い、前記第1の電極と第2の電極との間に電気絶縁層を設けたことを特徴とする磁界センサ。
IPC (3)：
H01L 43/08
, G01R 33/06
, G11B 5/39
