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J-GLOBAL ID：200903047892332772

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤

, 
武田 隆信

About 武田 隆信

, 
渡邊 修

About 渡邊 修


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004014354
Publication number (International publication number)：2005042085
Application date： Jan. 22, 2004
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：
【解決手段】 珪素を含有する繰り返し単位と、下記一般式(1)で示される置換基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物。 【化1】(A1はフランジイル、テトラヒドロフランジイル又はオキサノルボルナンジイルから選ばれる2価の基。R1、R2はそれぞれ独立に炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基。又は、R1、R2は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。R3は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
珪素を含有する繰り返し単位と、下記一般式(1)で示される置換基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。
IPC (4)：
C08F230/08 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027
FI (4)：
C08F230/08 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R
F-Term (60)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB33 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL16P ,  4J100AL39Q ,  4J100AL39R ,  4J100AL46Q ,  4J100AL87R ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04R ,  4J100BA05Q ,  4J100BA10P ,  4J100BA10Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA20P ,  4J100BA40P ,  4J100BA72P ,  4J100BA80P ,  4J100BB18P ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58Q ,  4J100BC60R ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA36 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (13)
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Cited by examiner (4)
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