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J-GLOBAL ID：200903047906955280

半導体装置の形成方法

Inventor：
クリストファー・シー・ホッブス

About クリストファー・シー・ホッブス

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ビカス・マイティ

About ビカス・マイティ

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ウェイ・ウー

About ウェイ・ウー


Applicant, Patent owner：
モトローラ・インコーポレイテッド

About モトローラ・インコーポレイテッド


Agent (1)： 本城 雅則 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000215988
Publication number (International publication number)：2001068563
Application date： Jul. 17, 2000
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 金属を含むゲート電極を有する半導体装置が提供される。【解決手段】 第1および第2ダミー構造(201,202)が半導体装置基板(10)上に形成される。ある実施例では、第1ダミー構造(201)の一部分は除去されかつ第1導電材料(64)で置き換えられて第1ゲート電極(71)を形成し、第2ダミー構造(202)の一部分は除去されかつ第2導電材料(84)で置き換えられて第2ゲート電極(91)を形成する。別の実施例では、ダミー構造(201,202)は、第1電極(71)を形成するために用いられる第1導電材料(164)を使用して形成される。その後、第2電極はダミー構造(202)から第1導電材料(164)を除去しかつそれを第2導電材料(84)で置き換えることにより形成される。本発明の実施例に従って、第1導電材料および第2導電材料は異なった導電材料である。
Claim (excerpt)：
半導体装置を形成する方法において、半導体装置基板(10)上に第1ゲート電極(71)を形成する段階であって、前記第1ゲート電極(71)はアルミニウム,銅,チタン,タンタル,タングステン,モリブデン,プラチナ,パラディウム,オスミウム,イリジウムおよびルテニウムからなるグループから選択された第1金属含有導電性材料(64)含む、段階と、前記半導体装置基板(10)上に第2ゲート電極(91)を形成する段階であって、前記第2ゲート電極(91)はアルミニウム,銅,チタン,タンタル,タングステン,モリブデン,プラチナ,パラディウム,オスミウム,イリジウムおよびルテニウムからなりるグループから選択された第2金属含有導電性材料(84)含み、前記第2金属含有導電性材料(84)および前記第1金属含有導電性材料(64)は異なった形式の金属含有導電材料である、段階と、から構成されることを特徴とする半導体装置を形成する方法。
IPC (6)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78
FI (7)：
H01L 27/08 321 D ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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