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J-GLOBAL ID：200903047932302901

多層配線構造を有する半導体装置

Inventor： アンソニー ホッブス
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000312186
Publication number (International publication number)：2002124565
Application date： Oct. 12, 2000
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の上下配線層を接続するビアの断線防止に有効な配線構造を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】 多層配線構造を有する半導体装置において、ビア13と接続する部位の配線11、11 ́の幅aに対するビア13の直径bの比(b/a比)が0.2〜20の範囲内に入るよう、部分的に幅を細くした配線を含むようにする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁層と配線層を交互に積層し、絶縁層を貫通するビアによって上下の配線層を接続した多層配線構造を有する半導体装置であって、ビアと接続する部位の配線の幅aに対するビアの直径bの比が0.2〜20の範囲内に入るよう、部分的に幅を細くした配線を含むことを特徴とする半導体装置。

F-Term (17)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM21 ,  5F033NN11 ,  5F033NN34 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033UU04 ,  5F033WW01 ,  5F033XX06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-044048
  
• 多層配線およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-231936   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭64-044048