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J-GLOBAL ID：200903047932669104

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 泰久 ,  菊池 信男 ,  寺前 淳一 ,  奥野 昌樹 ,  杉野 林志
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991161618
Publication number (International publication number)：1993013386
Application date： Jul. 02, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、ドライエッチング処理や感光性樹脂の灰化処理のときに半導体基板に与える金属汚染を除去する半導体装置の製造方法に関し、製造工程中に半導体基板に混入する金属汚染を効果的に除去することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】ドライエッチング処理により半導体基板10の表面を露出するドライエッチング工程と、約400°C以上に加熱する高温熱処理工程とを有し、少なくとも一つのpn接合を有する半導体装置の製造方法において、ドライエッチング工程と高温熱処理工程の間に、塩素原子を含むガスを用いて露出した半導体基板10の表面を洗浄するドライ洗浄工程を設けるように構成する。

Claim (excerpt)：

ドライエッチング処理により半導体基板の表面を露出するドライエッチング工程と、約400°C以上に加熱する高温熱処理工程とを有し、少なくとも一つのpn接合を有する半導体装置の製造方法において、前記ドライエッチング工程と前記高温熱処理工程の間に、塩素原子を含むガスを用いて露出した前記半導体基板の表面を洗浄するドライ洗浄工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341