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J-GLOBAL ID：200903047937891670

窒化物結晶の製造方法およびその装置

Inventor： 柴田 真佐知 ,  古屋 貴士 ,  海野 恒弘
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996164811
Publication number (International publication number)：1998007496
Application date： Jun. 25, 1996
Publication date： Jan. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】これまで得られなかったGaN等、III 族元素窒化物の大形バルク単結晶を容易に成長できるようにする。【解決手段】石英容器1内にIII 族原料を入れて、これを加熱ヒータ2で加熱して融解する。融解したIII 族原料融液3にガス導入配管4を通して窒素原子を含有するアンモニアガスなどの物質を供給反応させて、III 族原料融液3中にその窒化物を溶解させる。この供給反応を継続しつつIII 族原料融液3を冷却して窒化物結晶を析出させる。これらの溶解工程と析出工程を交互に繰り返して大形の窒化物結晶を得る。

Claim (excerpt)：

III 族原料を加熱、融解し、これに窒素原子を含有する物質を供給反応させて、III 族原料融液中にその窒化物を溶解させる工程と、上記反応を継続しつつIII 族原料融液を冷却して窒化物結晶を析出させる工程とを交互に繰り返すことを特徴とする窒化物結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C30B 9/06 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (4)：

C30B 29/38 Z ,  C30B 9/06 ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 33/00 C