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J-GLOBAL ID：200903047946115217

薄膜形成装置

Inventor： 古川 正樹
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996320018
Publication number (International publication number)：1998163183
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、スループットを向上させ、コストを低減し、信頼性や歩留りを向上させ、作業者の人体や環境に悪い影響を及ぼすおそれをなくすと共に、高度の平坦性を得ることができる薄膜形成装置を提供することを課題とする。【解決手段】 デポジション用ガス供給手段及びエッチング用ガス供給手段により、台座11上に搭載したウェーハ10上にデポジション用ガスとしてTEOS及びO3 が供給されると共に、そのデポジション用ガスの流域上方にエッチング用ガスとしてCF4 が供給されるようになっている。従って、熱CVDによってウェーハ10上にTEOS膜15が堆積されると共に、その膜厚が次第に厚くなり、下層のデポジション用ガスの流域と上層のエッチング用ガスの流域とのガス界面を突き抜けてプラズマ領域14に入るようになると、このTEOS膜15上層部分はプラズマエッチングによって除去される。

Claim (excerpt)：

ウェーハを搭載する台座と、前記台座上方に前記台座を挟んで設置され、プラズマを発生させる1対の対向電極と、前記台座上に搭載したウェーハ上にデポジション用ガスを供給するデポジション用ガス供給手段と、前記デポジション用ガス供給手段によって供給されるデポジション用ガスの流域上方にエッチング用ガスを供給するエッチング用ガス供給手段と、を具備し、前記デポジション用ガス供給手段によって供給されたデポジション用ガスにより、前記ウェーハ上に所定の薄膜が堆積されると共に、前記薄膜の膜厚が所定の厚さ以上になると、前記エッチング用ガス供給手段によって供給されたエッチング用ガスにより、前記薄膜の上層部分がプラズマエッチングされることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (6)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 G ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 C