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J-GLOBAL ID：200903047946190979
3C-炭化ケイ素の成長のための基板
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994514356
Publication number (International publication number)：1996509575
Application date： Dec. 07, 1993
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：
【要約】基底面(10)中の6Hα-SiCの格子パラメータの+5%内である格子パラメータを有するプレーナ表面をもつ単結晶六方晶系物質の本体を提供しさらに表面上に単結晶立方晶系物質(12)の本体を成長させて粒子境界、亜結晶粒境界、二重位置境界、およびピットを有しないプレーナ立方晶系物質表面を提供することにより、単結晶β-SiC成長用基板を形成する。立方晶系物質、例えば、TiC、ZrC、HfC、またはTiNは岩塩構造およびβ-SiCの格子パラメータの+5%内の格子パラメータを有する。単結晶β-SiC(18)を立方晶系物質の表面上で結晶核形成させ成長させることができる。
Claim (excerpt)：
半導体用途のための、亜結晶粒を含まずDPBを含まない単結晶β-SiCの結晶核形成および成長に適切な基板において、基板が: 基底面中の6Hα-SiCの格子パラメータの±5%内である格子パラメータを有するプレーナ表面をもつ単結晶六方晶系物質の本体;および 立方晶系物質が岩塩構造およびβ-SiCの格子パラメータの±5%内の格子パラメータを有し、立方晶系物質が粒子境界、亜結晶粒境界、二重位置境界、およびピットを含まない、単結晶立方晶系物質の本体を含むことを特徴とする基板。
IPC (2)：
FI (2)：
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