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J-GLOBAL ID：200903047948309876
不揮発性メモリ及び揮発性メモリで選択的に動作可能な相変化メモリ装置及び相変化メモリ装置の動作方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004096312
Publication number (International publication number)：2004296076
Application date： Mar. 29, 2004
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：
【課題】 不揮発性メモリ及び揮発性メモリとして選択的に動作可能なPRAM装置及びPRAM装置の動作方法を提供する。【解決手段】 PRAMセル、書込電流ソース及び復旧回路を備えるPRAM装置である。PRAMセルは非結晶状態と結晶状態との間で状態遷移をする相変化物質を備える。書込電流ソースは前記PRAMセルを非結晶状態にするための第1書込電流パルス及び前記PRAMセルを結晶状態にするための第2書込電流パルスを選択的に印加する。復旧回路は前記PRAMセルを非結晶状態に復旧するために前記PRAMセルに前記第1書込電流パルスを選択的に印加する。本発明に係るPRAMの動作方法及びPRAM装置は、不揮発性メモリであるPRAMを揮発性メモリのように動作させることによって電力消費を減らすことができる。また、応用分野によってPRAMを揮発性メモリまたは不揮発性メモリとして選択して使用することができる。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
非結晶状態と結晶状態との間で状態遷移をする相変化物質を備える相変化メモリセルと、
前記相変化メモリセルを非結晶状態にするための第1書込電流パルス及び前記相変化メモリセルを結晶状態にするための第2書込電流パルスを選択的に印加する書込電流ソースと、
前記相変化メモリセルを非結晶状態に復旧するために前記相変化メモリセルに前記第1書込電流パルスを選択的に印加する復旧回路と、
を備えることを特徴とする相変化メモリ装置。
IPC (3)：
G11C13/00
, H01L27/10
, H01L45/00
G11C13/00 A
, H01L27/10 448
, H01L45/00 A
